韓経:サムスン「超格差」で半導体不況突破…世界初の3世代10ナノDRAM開発

  • 2019年3月22日

サムスン電子が世界初の新製品を発表し「超格差戦略」を再始動した。ことし1月、「苦しい時に本当の実力が出る」と話した李在鎔(イ・ジェヨン)サムスン電子副会長の言葉が徐々に可視化しているという分析が出ている。

サムスン電子は21日、世界で初めて「3世代10ナノ級(1z)8ギガビット(Gb)ダブルデータレート(DDR)4DRAM」の開発に成功したと発表した。2017年11月に2世代10ナノ級(1y)DRAMの量産を始めてから16カ月後のことだ。

半導体業界では同じ10ナノ級DRAMといっても微細化の程度により段階を区分する。「10ナノ級」というのは線路幅を意味する。数字が小さいほど線路幅がより狭くなるため作るのも難しい。サムスン電子は正確な微細化の程度は公開しなかったが今回開発した3世代製品で初めて10ナノ中盤台(14~16ナノ)に進入したものと分かった。1世代と2世代は10ナノ後半台(17~19ナノ)だった。

競争会社との格差も1年以上広がった。SKハイニックスとマイクロンは昨年11月2世代10ナノ級(1y)DRAM開発に成功した後、量産を準備している。同じ2世代といってもマイクロンの技術力がSKハイニックスに比べて劣るためマイクロンとサムスン電子の格差は更に広がった。超高価の極端紫外線(EUV)露光装備を使わずに既存の方式で微細化に成功したというのも意味が大きい。

既存の2世代製品と比べて生産性は20%高まった。同社は速度が速まり電力効率も改善されたと説明した。3世代10ナノ級(1z)DRAM基盤のPC用DDR4モジュールを作りグローバルCPU業者からすべての評価項目で承認も受けた。量産に入る前に既にグローバル情報技術(IT)顧客の需要を確保したのだ。

サムスン電子はことし下半期に同製品を本格量産し、来年には性能と容量を同時に高めたDDR5、LPDDR5など次世代DRAMを本格的に供給するという計画だ。

サムスン電子メモリー事業部DRAM開発室の李禎培(イ・ジョンべ)副社長は「微細工程の限界を再び克服したということに意味がある」とし、「グローバル主要顧客とシステム開発段階から積極的に協力し、次世代ラインナップに市場を早く切り替えるだろう」と話した。